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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBTS282Z E3230
BTS282Z E3230 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BTS282Z E3230 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BTS282Z E3230
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BTS282Z E3230
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Description détaillée
Emballage
TO-220-7
Fiche technique
BTS282Z.pdf
En stock: 3820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BTS282Z E3230
Infineon Technologies - BTS282Z E3230 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BTS282Z E3230

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur P-TO220-7-230  
Séries TEMPFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-7  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Temperature Sensing Diode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 49 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BTS282Z E3230

Attributs du produit BTS282Z E3230 BTS282ZE3180A BTS244Z E3043 BTS282ZE3230
Modèle de produit BTS282Z E3230 BTS282ZE3180A BTS244Z E3043 BTS282ZE3230
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Séries TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 35A (Tc) 80A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 49 V 49 V 55 V 49 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-7 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-220-5 TO-220-7
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA 2V @ 240µA 2V @ 130µA 2V @ 240µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 170W (Tc) 300W (Tc)
Package composant fournisseur P-TO220-7-230 PG-TO263-7-1 P-TO220-5-43 PG-TO220-7-12
Fonction FET Temperature Sensing Diode - Temperature Sensing Diode -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

Fiche technique BTS282Z E3230 PDF

Téléchargez BTS282Z E3230 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BTS282Z E3230 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
BTS282Z.pdf
PCN Obsolescence / EOL
BTS282Z Devices 10/Sep/2013.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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